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资料
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGPS40B120UDP 单晶体管, IGBT, 80 A, 3.39 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚126510+￥8.7204100+￥8.2844500+￥7.99371000+￥7.97922000+￥7.92105000+￥7.84847500+￥7.790210000+￥7.7612 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 1200V 60A 300W TO247AC64511+￥58.957710+￥55.5749100+￥53.0619250+￥52.6753500+￥52.28871000+￥51.85382500+￥51.46725000+￥51.2256 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 高达 20A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。462510+￥10.9296100+￥10.3831500+￥10.01881000+￥10.00062000+￥9.92775000+￥9.83667500+￥9.763810000+￥9.7273 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 250V 104A 330000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC53711+￥172.444810+￥167.946250+￥164.4973100+￥163.2977200+￥162.3980500+￥161.19841000+￥160.44862000+￥159.6989 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PSH71KPBF 单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚39281+￥73.387310+￥70.1965100+￥69.6222250+￥69.1755500+￥68.47351000+￥68.15442500+￥67.70775000+￥67.3248 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC77361+￥61.663010+￥58.9820100+￥58.4994250+￥58.1241500+￥57.53431000+￥57.26622500+￥56.89085000+￥56.5691 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube66175+￥14.836850+￥14.2027200+￥13.8477500+￥13.75891000+￥13.67012500+￥13.56875000+￥13.50537500+￥13.4419 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。97691+￥244.783310+￥238.397650+￥233.5019100+￥231.7991200+￥230.5220500+￥228.81911000+￥227.75492000+￥226.6906 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT模块67951+￥861.067110+￥830.854250+￥827.0776100+￥823.3010150+￥817.2584250+￥811.9712500+￥806.68391000+￥800.6413 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。13311+￥404.984010+￥394.419250+￥386.3195100+￥383.5022200+￥381.3893500+￥378.57201000+￥376.81122000+￥375.0504 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PH20KDPBF 单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚192710+￥7.5864100+￥7.2071500+￥6.95421000+￥6.94162000+￥6.89105000+￥6.82787500+￥6.777210000+￥6.7519 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。36961+￥730.366110+￥704.739250+￥701.5358100+￥698.3325150+￥693.2071250+￥688.7224500+￥684.23771000+￥679.1123 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 60A 190000mW 24Pin ECONO 2 Tray47791+￥466.252610+￥454.089450+￥444.7644100+￥441.5209200+￥439.0883500+￥435.84481000+￥433.81762000+￥431.7904 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PH20KPBF 单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚390410+￥7.3248100+￥6.9586500+￥6.71441000+￥6.70222000+￥6.65345000+￥6.59237500+￥6.543510000+￥6.5191 -
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品类: IGBT晶体管描述: 电路图 Circuit Diagram90061+￥652.787910+￥629.883150+￥627.0200100+￥624.1569150+￥619.5759250+￥615.5676500+￥611.55921000+￥606.9783 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。31701+￥987.253710+￥952.613250+￥948.2831100+￥943.9531150+￥937.0250250+￥930.9629500+￥924.90081000+￥917.9727 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39931+￥646.453010+￥623.770450+￥620.9351100+￥618.0998150+￥613.5632250+￥609.5938500+￥605.62441000+￥601.0878 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。78871+￥448.549510+￥436.848250+￥427.8772100+￥424.7568200+￥422.4166500+￥419.29621000+￥417.34602000+￥415.3958 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350000mW 3Pin(3+Tab) TO-274AA80891+￥46.181910+￥43.5321100+￥41.5637250+￥41.2609500+￥40.95801000+￥40.61732500+￥40.31455000+￥40.1252 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF150R17KE4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 1.7 kV, Module71661+￥693.619310+￥669.281850+￥666.2396100+￥663.1974150+￥658.3299250+￥654.0709500+￥649.81181000+￥644.9443 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PC40FPBF 单晶体管, IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚17181+￥59.149310+￥55.7555100+￥53.2343250+￥52.8465500+￥52.45861000+￥52.02232500+￥51.63445000+￥51.3920 -
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。98601+￥94.676110+￥90.5597100+￥89.8188250+￥89.2425500+￥88.33691000+￥87.92522500+￥87.34895000+￥86.8550 -
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品类: IGBT晶体管描述: IRG4PH30KDPBF 系列 1200 V 10 A N 沟道 超快 IGBT - TO-247AC34105+￥22.920350+￥21.9408200+￥21.3923500+￥21.25521000+￥21.11802500+￥20.96135000+￥20.86347500+￥20.7654 -
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品类: IGBT晶体管描述: EasyPACK模块海沟/ Fieldstopp IGBT3和发射极控制二极管3和压接/ NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC98191+￥236.131810+￥229.971850+￥225.2492100+￥223.6065200+￥222.3746500+￥220.73191000+￥219.70522000+￥218.6786 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。10411+￥479.267110+￥466.764550+￥457.1791100+￥453.8451200+￥451.3446500+￥448.01061000+￥445.92682000+￥443.8430
